COMPANY PROFILE 

公司 概況

山東晶鎵半導體有限公司成立于2023年8月，主要從事第三代半導體材料氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司以近年來研發(fā)的最新GaN單晶生長與襯底加工技術(shù)成果為基礎(chǔ)，開展全方位產(chǎn)學研合作。是國際上少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的GaN自支撐單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

GaN襯底材料可用來制作激光器、高端LED、大功率電力電子器件和高功率射頻器件等，主要應用于藍綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。公司依托卓越的研發(fā)團隊和多年積累的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，重視技術(shù)引領(lǐng)，堅持以創(chuàng)新為核心，完善服務、完善產(chǎn)品，力爭成為國際著名的GaN半導體材料公司。